Сравнить
В сравнении
Достаточно
Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа
Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен в розничных магазинах
Характеристики
| Производитель | SEMICORE |
| Применение | CIS, DRAM, Power Device, SOI (SMARTCUT, SIMOX), LOGIC, 3D NAND, IGBT, BCD |
| Диапазон энергии ионов | 5 — 200 кэВ |
| Размер подложки, дюймы | 12, 8 |
| Максимальный ток электронного пучка | B+: 15 мА, As+: 20 мА, P+: 20 мА |
| Легирующие ионы | B, P, As, F, Ar и др. |
| Однородность легирования | Энергия ионов 10 кэВ: 1σ <1.0%, Энергия ионов>10 кэВ: 1σ <1.5% |
| Воспроизводимость легирования | Энергия ионов<10 кэВ: 1σ <0.7%, Энергия ионов<10 кэВ: 1σ <1.0% |
| Диапазон доз имплантируемых материалов, ион/см² | 1E14 - 3Е17 |
Задать вопрос
Вы можете задать любой интересующий вас вопрос по товару или работе магазина.
Наши квалифицированные специалисты обязательно вам помогут.
Наши квалифицированные специалисты обязательно вам помогут.