Сравнить
В сравнении
Достаточно
Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа
Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен в розничных магазинах
Характеристики
| Производитель | SEMICORE |
| Применение | LOGIC, DRAM, 3D NAND, NOR, CMOS, MOSFET, IGBT, BCD, CIS, MEMS |
| Диапазон энергии ионов | 200 еВ — 60/80 кэВ |
| Размер подложки, дюймы | 12, 8 |
| Максимальный ток электронного пучка | B+: 16 мА, As+: 25 мА, P+: 25 мА |
| Легирующие ионы | B, P, As, F, C, Si, Ge N, Ar, H, He и др. |
| Однородность легирования | Энергия ионов>3 кэВ: 1σ <0.7%, Энергия ионов<3 кэВ: 1σ <1% |
| Диапазон доз имплантируемых материалов, ион/см² | 2E13 - 1Е17 |
Задать вопрос
Вы можете задать любой интересующий вас вопрос по товару или работе магазина.
Наши квалифицированные специалисты обязательно вам помогут.
Наши квалифицированные специалисты обязательно вам помогут.