Характеристики
| Производитель | SEMICORE |
| Применение | LOGIC, DRAM, 3D NAND, NOR, MOSFET, CMOS, IGBT, CIS, BCD, MEMS |
| Диапазон энергии ионов | 20 кеВ — 8 МэВ |
| Максимальный ток электронного пучка | B+: 1 МеВ, ≥100 мА |
| Однородность легирования | 1E11 - 5Е15 ион/см², 1σ <1% |
| Воспроизводимость легирования | 5E11 - 5Е15 ион/см², 1σ <0.5% |
| Диапазон доз имплантируемых материалов, ион/см² | 1E11 - 5Е15 |
Задать вопрос
Вы можете задать любой интересующий вас вопрос по товару или работе магазина.
Наши квалифицированные специалисты обязательно вам помогут.
Наши квалифицированные специалисты обязательно вам помогут.
