Сравнить
В сравнении
Достаточно
Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа
Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен в розничных магазинах
Характеристики
| Производитель | SEMICORE |
| Применение | LOGIC, DRAM, 3D NAND, NOR, CMOS, MOSFET, IGBT, BCD, CIS, MEMS |
| Диапазон энергии ионов | 2 — 900 кэВ |
| Размер подложки, дюймы | 12, 8 |
| Максимальный ток электронного пучка | 12 дюймов: B+: 2500 мА, As+: 1300 мА, P+: 2500 мА, 8 дюймов: B+: 2000 мА, As+: 1300 мА, P+: 2000 мА |
| Однородность легирования | 1σ <0.5% |
| Воспроизводимость легирования | 1σ <0.5% |
| Диапазон доз имплантируемых материалов, ион/см² | 2E13 - 1Е16 |
| Точность поддержания тока | ±1% |
| Угол наклона подложки от нормали пучка | 0-45˚ ±0.1˚ |
Задать вопрос
Вы можете задать любой интересующий вас вопрос по товару или работе магазина.
Наши квалифицированные специалисты обязательно вам помогут.
Наши квалифицированные специалисты обязательно вам помогут.