Характеристики
| Производитель | SEMICORE |
| Применение | Производство полупроводниковых приборов (SIC, GaN) |
| Диапазон энергии ионов | 3 — 200 кэВ |
| Размер подложки, дюймы | 6, 4 |
| Максимальный ток электронного пучка | Al+: 7 мА, B+: 12 мА, N+: 7 мА, P+: 15 мА (при 200 кэВ) |
| Легирующие ионы | Al, B, N, P, Ar и др. |
| Температура обрабатываемой пластины | От комнатной до +200°С |
Задать вопрос
Вы можете задать любой интересующий вас вопрос по товару или работе магазина.
Наши квалифицированные специалисты обязательно вам помогут.
Наши квалифицированные специалисты обязательно вам помогут.
