Характеристики
| Производитель | SEMICORE |
| Применение | Производство полупроводниковых приборов (SIC, GaN) |
| Диапазон энергии ионов | 30 — 400 кэВ |
| Размер подложки, дюймы | 6, 4 |
| Максимальный ток электронного пучка | Al+: 3.5 мА, B+: 3.5 мА, N+: 3 мА, P+: 4.5 мА (при 400 кэВ) |
| Легирующие ионы | Al, B, N, P, Ar и др. |
| Температура обрабатываемой пластины | От комнатной до +200°С |
Задать вопрос
Вы можете задать любой интересующий вас вопрос по товару или работе магазина.
Наши квалифицированные специалисты обязательно вам помогут.
Наши квалифицированные специалисты обязательно вам помогут.
